率先突破！三星开始量产10nm芯片 Galaxy S有望配备
2016-10-17 12:37:32已围观次来源：TechWeb编辑：夏雪
10月17日消息，据国外媒体报道，三星今天宣布已经开始批量生产具有10纳米FinFET技术的SoC芯片，将成为业界率先实现这一突破的公司，这也是继2015年1月成功批量生产业界第一款FinFET移动应用处理器之后的成果。
三星将成为高通骁龙830高端处理器的独家代工商，这些芯片都将使用10纳米工艺生产，而有望于明年初发布的新款Galaxy S手机，将有半数使用这种芯片。
三星电子代理业务部执行副总裁Jong Shik Yoon表示：“业界首批大规模生产10nm FinFET技术产品，证明了我们在先进工艺技术方面的领先地位，并表示公司将继续推进缩放技术。
与14nm工艺相比，新型10nm FinFET工艺使用先进的3D晶体管结构，对工艺技术和设计进行了进一步改进。三星表示，这使得面积效率增加了30%，性能提高了27%，功耗降低了40%，第二代10nm处理器将在明年下半年批量生产。(周林)
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